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PSMN8R3-40YS,115  与  BSC093N04LS G  区别

型号 PSMN8R3-40YS,115 BSC093N04LS G
唯样编号 A36-PSMN8R3-40YS,115 A-BSC093N04LS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.3mΩ@40A,10V
上升时间 - 2.4ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 74W 35W
Qg-栅极电荷 - 24nC
输出电容 270pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 34S
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 70A 49A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
输入电容 1215pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 8.6mΩ@10V -
下降时间 - 2.8ns
典型接通延迟时间 - 3.6ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R3-40YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R3-40YS_SOT669 N-Channel 74W 175℃ 3V 40V 70A

暂无价格 0 当前型号
BSC093N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC093N04LSGATMA1_40V 49A 9.3mΩ@40A,10V ±20V 35W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOL1454 AOS  数据手册 功率MOSFET

Ultra SO8 N-Channel 40V 20V 50A 60W 9mΩ@10V

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